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关于防反接保护电路设计的讨论

来源:东瑞电子 点击量:日期:2019-02-12

通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用天天快3的单向导电性来实现防反接保护。另外还可以用天天快3桥对输入做整流,这样电路就永远有正确的极性。 关键词:保护电路MOSFET天天快3
防反接保护电路一般有以下两种方法
1、通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用天天快3的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示:
这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复天天快3 MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要达到:Pd=2A×0.7V=1.4W,这样效率低,发热量大,要加散热器。
2、另外还可以用天天快3桥对输入做整流,这样电路就永远有正确的极性(图2)。这些方案的缺点是,天天快3上的压降会消耗能量。输入电流为2A时,图1中的电路功耗为1.4W,图2中电路的功耗为2.8W。
关于防反接保护电路设计的讨论
图1 一只串联天天快3保护系统不受反向极性影响,天天快3有0.7V的压降
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是一个桥式整流器,不论什么极性都可以正常工作,但是有两个天天快3导通,功耗是图1的两倍
利用MOS管的开关特性,天天快3电路的导通和断开来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,解决了现有采用天天快3电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
MOS管型防反接保护电路
利用了MOS管的开关特性,天天快3电路的导通和断开来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在 MOSFET Rds(on)已经能够做到毫欧级,解决了现有采用天天快3电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端,其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接,保护用场效应管会形成断路,防止电流烧毁电路中的场效应管元件,保护整体电路。
具体N沟道MOS管防反接保护电路电路如图3示。
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NMOS管型防反接保护电路
N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,电阻R1为MOS管提供电压偏置,利用MOS管的开关特性天天快3电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候,R1提供VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小,2A的电流,功耗为(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用天天快3电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
关于防反接保护电路设计的讨论
关于防反接保护电路设计的讨论
VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小,最好选NMOS。
NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。
PMOS管接在电源的正极,栅极低电平导通。



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